《先进材料》刊发我院翟天佑教授团队最新成果
在后摩尔时代，具有丰富物理特性的二维（2D）材料引起了科学界和工业界的广泛关注。在2D材料中，2D同质结由于其独特的结构和性质，如均质的组成成分、完美的晶格匹配和高效的界面电荷转移，在新型电子和光电子器件方面具有很大的前景。
近日，华中科技大学材料科学与工程学院翟天佑教授团队系统综述了近年来2D同质结的研究进展，该综述涵盖2D同质结的结构类型（p-n 同质结、异相同质结和层工程同质结）、制备策略（气相沉积、锂嵌入、激光辐照、化学掺杂、静电掺杂和光掺杂）以及电子器件（场效应晶体管、整流器和反相器）和光电子器件（发光二极管、光伏和光电探测器）。最后，作者评论了2D同质结当前的挑战和未来的前景，提供了一些有待研究的方向。
图1. 2D同质结电子与光电子器件发展路线
图2. 2D同质结的结构类型
图3. 2D同质结的制备策略
图4. 2D同质结在电子与光电子器件中的应用
图5. 2D同质结的未来挑战与展望
相关工作发表在Advanced Materials (DOI: 10.1002/adma.202005303)上，文章题目: 2D Homojunctions for Electronics and Optoelectronics。华中科技大学材料科学与工程学院2017级博士生王发坤为论文第一作者，翟天佑教授为论文通讯作者，华中科技大学为第一完成单位。
该工作得到了国家自然科学基金、湖北省自然科学基金、中央高校基本科研业务费等项目的支持。
文章链接https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202005303.
