1、马颖，翟春鹏，高佳慧，一种具有双突变界面的上转换发光材料及制备方法，专利号：ZL202310406359.8，申请日：2023年04月17日，授权日：2024年05月14日

2、周兴，翟天佑，二维SnSe-SnSe₂ p-n异质结及其制备方法，专利号：ZL2020101876672，申请日：2020年3月17日，授权日：2023年4月11日

3、甘霖，冉濛，翟天佑，二维自组装的M1/M2-VO2同质结纳米片及其制备方法，专利号：ZL 2020101467844，申请日：2020年3月5日，授权日：2023年4月11日

4、周兴，李东燕，翟天佑，一种二维ZnTe晶体材料及其制备方法和应用，专利号：ZL 2021115356112，申请日：2021年12月15日，授权日：2023年1月24日

5、李渊，邓瑶，苏建伟，翟天佑，一种非本征二维复合磁性材料、制备方法及应用，专利号：ZL2021112699110，申请日：2021年10月29日，授权日：2022年12月9日

6、周兴，许翔，翟天佑，一种二维CuCrS₂晶体材料及其制备方法，专利号：ZL2021115355798，申请日：2021年12月15日，授权日：2022年9月20日

7、诸葛福伟，一种卷积视觉图像传感器，专利号：ZL202110811321X，申请日：2021年7月19日，授权日：2022年9月20日

8、周兴，左念，翟天佑，二维In₂S₃/SnS异质结晶体材料的制备方法，专利号：ZL2020114505882，申请日：2020年12月10日，授权日：2022年8月2日

9、夏芳芳，翟天佑，张悦，王发坤，一种二维层状GeP材料及其制备方法和应用，专利号：ZL2020101543424，申请日：2020年3月7日，授权日：2022年3月29日

10、周兴，彭乔俊，李东燕，翟天佑，一种二维Cd₇Te₇Cl₈O₁₇晶体材料及其制备方法， 专利号：ZL2021100311227，申请日：2021年1月11日，授权日：2022年3月18日

11、刘友文，温群磊，翟天佑，具有安培级电流密度析氢性能的Mo/MoO₂面内异质结的制备，专利号：ZL2021100544551，申请日：2021年1月15日，授权日：2022年2月15日

12、刘开朗，金宝，翟天佑，李会巧，一种范德华介电材料及其制备方法和应用，专利号：ZL2020104759219，申请日：2020年5月29日，授权日：2022年1月25日

13、诸葛福伟，余军，翟天佑，陈玉倩，一种浮栅极型场效应晶体管存储器及其制造方法，专利号：ZL201911101945.1，申请日：2019年11月12日，授权日：2021年9月28日

14、甘霖，李奥炬，翟天佑，一种二维二碲化钼垂直异质结及其制备方法和应用，专利号：ZL2020101529183，申请日：2020年3月6日，授权日：2021年8月3日

15、翟天佑，蔡凯，李会巧，一种小型空心金纳米棒及其制备方法和应用，专利号：ZL2020103286519，申请日：2020年4月23日，授权日：2021年8月3日

16、诸葛福伟，吕亮，翟天佑，一种新型铁电晶体管及其制备方法，专利号：ZL2020102333758，申请日：2020年3月29日，授权日：2021年7月27日

17、甘霖，李敏，马颖，翟天佑，一种二维NdOCl单晶材料的制备方法、产品及应用，专利号：ZL2020100519767，申请日：2020年1月17日，授权日：2021年7月2日

18、李会巧，张天琪，钟兴国，曹杨，翟天佑，一种高性能钠离子电池钛基负极、钠离子电池及制备方法，专利号：ZL2019102534773，申请日：2019年3月29日，授权日：2021年6月11日

19、诸葛福伟，俞世文，翟天佑，一种基于二维材料的场效应整流器及其制备方法，专利号：ZL2020101586951，申请日：2020年3月9日，授权日：2021年6月11日

20、周兴，张逊，翟天佑，一种非层状二维PbSe晶体材料及其制备方法，专利号：ZL2020102478723，申请日：2020年4月1日，授权日：2021年4月20日

21、刘开朗，翟天佑，李会巧，一种均匀高应变的二维二硫化钼材料及其制备方法，专利号：ZL2020104786945，申请日：2020年5月29日，授权日：2021年3月26日

22、周兴，左念，翟天佑，一种二维非层状In₂SnS₄晶体材料及其制备方法，专利号：ZL201911192379X，申请日：2019年11月28日，授权日：2021年2月9日

23、罗亮，梁华庚，王修霞，章小平，孟凡玲，童军伟，一种具有光动力作用的脂质体及其制备与应用，专利号：ZL2019104547265，申请日：2019年5月29日，授权日：2021年1月15日

24、李会巧，郭雁鹏，李典，翟天佑，一种锂金属/钠金属负极的保护方法及产品，专利号：ZL2019103809773，申请日：2019年5月8日，授权日：2020年11月17日

25、李会巧，秦瑞环，薛澜澜，翟天佑，磷酸钒锂钠材料的应用及其低温电池，专利号：ZL2018103503053，申请日：2018年4月18日，授权日：2020年10月30日

26、周风雅，甘霖，翟天佑，一种二维GeTe单晶纳米片及其在相变存储中的应用，专利号：ZL2019102371371，申请日：2019年3月27日，授权日：2020年10月30日

27、李会巧，秦瑞环，薛澜澜，肖娉，翟天佑，一种防止锂离子电池过充的方法，专利号：ZL201810485826X，申请日：2018年5月21日，授权日：2020年8月18日

28、翟天佑，韩伟，一种二维无机分子晶体材料及其制备方法，专利号：ZL201910684073X，申请日：2019年7月26日，授权日：2020年8月18日

29、马颖，周斌，唐冰，阮霖霁，翟天佑，一种单掺杂-富集核壳结构上转换发光材料及其制备方法，专利号：ZL2018103802360，申请日：2018年4月25日，授权日：2020年5月19日

30、张骐，金宝，周兴，翟天佑，一种制备非层状二维纳米硫化镉晶体材料的方法及产品，专利号：ZL201711358841X，申请日：2017年12月17日，授权日：2019年7月23日

31、张骐，高婷，翟天佑，一种二维纳米Ga₂In₄S₉晶体材料的制备方法及产品，专利号：ZL2017104696720，申请日：2017年6月20日，授权日：2019年5月14日

32、翟天佑，蔡凯，李会巧，一种空心金纳米材料的制备方法，专利号：ZL2018101931140，申请日：2018年3月9日，授权日：2019年5月14日

33、李会巧，邵高琦，翟天佑，一种钒酸锂负极材料、负极、电池以及负极材料制备方法，专利号：ZL2015100707233，申请日：2015年2月10日，授权日：2018年3月20日

34、李会巧，李文武，翟天佑，一种锂离子/钠离子电池用负极活性材料、负极及电池，专利号：ZL2015100081003，申请日：2015年1月8日，授权日：2017年7月7日

35、张骐，周兴，甘霖，翟天佑，一种二维纳米SnSe₂晶体材料的制备方法，专利号：ZL2015104374018，申请日：2015年7月23日，授权日：2017年5月10日