2019年7月9日-7月12日，甘霖、诸葛福伟老师带领课题组博士王仁焱、吕亮、Muhammad Yasar及冉濛、张庆福、许翔、余军四位硕士研究生共同参加了在浙江杭州举办的第二十二届全国半导体物理学术会议（The 22nd National Semiconductor Physics Conference）。
全国半导体物理学术会议是由中国物理学会半导体物理专业委员会主办的全国性会议，最早由已故世界著名物理学家、国家最高科学技术奖获奖者黄昆院士于1978年倡导召开，每两年举行一次（奇数年召开），与两年一次的国际半导体物理会议（偶数年召开）交错进行。会议宗旨是促进国内半导体物理研究领域的学术交流，把握国际重大前沿领域的发展动向，提升国内半导体物理及相关学科的国际影响力。
本届会议由浙江大学物理学系和浙江大学硅材料国家重点实验室承办，于2019年7月9-12日在杭州第一世界大酒店召开，本届会议还公布了2017-2018年度黄昆物理学奖（两年一度）的获奖人，获奖学者就获奖工作进行了专题报告。
会议期间，王仁焱博士进行了题目为“铁电极化调控二硫化铼电学各向异性”的墙报展示；
吕亮博士进行了题为“基于铁电局域极化的可重构型二维光电器件”的墙报展示；
Yasar 博士进行了题为“Temperature Difference Triggering Controlled Growth of All-Inorganic Perovskite Nanowire Arrays in Air”的墙报展示；
硕士生冉濛、张庆福、许翔、余军分别进行了题为“二维 GaTe 纳米片的相可控制备及其相变研究”，“不对称离子凝胶栅平面 MoTe2 自驱动光探测二极管”，“二维 GeTe 薄片的双稳态可逆晶-晶相变”，“具有范德华异质结构的非对称热载流子隧穿多位光电存储器”的墙报展示；
墙报展示了新材料与器件研究中心的最新研究进展，引起了广大参会者的兴趣，大家就相关内容进行了广泛且深入的讨论，并在会议闭幕式的最佳墙报奖评选环节中，课题组硕士生余军所做墙报成功入选。
通过聆听会议报告和交流，同学们了解到相关同行的最新进展，同时对自己的研究工作也有了更进一步的认识。此次会议，不仅激发了他们对科研的兴趣，同时拓宽了他们的视野，为往后的学习和科研打下良好的基础。
