2019年9月9日上午9:00，第343期“杰出学者讲坛”系列讲座在材料学院模具实验室A308报告厅顺利进行。本次主讲人为信息功能材料国家重点实验室主任宋志棠研究员，报告题目为“半导体相变存储器”。华中科技大学翟天佑老师主持了本次会议，多名老师出席会议。
宋志棠研究员现任现任上海微系统与信息技术研究所特聘研究员、博士生导师、上海市存储器纳米制造技术重点实验室主任、信息功能材料国家重点实验室主任。国家超级973、国家重要项目、国家集成电路重大专项项目的首席科学家；上海市领军人才、国务院特殊津贴。国内PCRAM材料与器件研究的开创者，搭建12英寸PCM专用平台（1.6亿），具备Gb级开发能力，研制出我国第一款PCM芯片，其1500万颗嵌入式芯片在国际首次应用，创立相变八面体基元理论，自主ScSbTe、TiSbTe材料与双沟道二极管等用于芯片。作为国家首席科学家承担国家4个973、3个02专项等重大项目，在Science、Nature commum等期刊发表511篇论文，数量国际第一，他引4517次；国内授权发明专利284项，数量国内第一。“电子级二氧化硅纳米抛光新材料及工业化制备关键技术”2016年获上海市技术发明奖一等奖（排名第1），2017年因PCRAM研究工作获得2017年上海科技精英提名。“相变存储芯片制造核心技术及嵌入式应用”2018年获 上海市科学技术发明奖二等奖。 PCRAM项目获2018工博会创新银奖。
报告开始，宋志棠研究员首先从基础研究出发，以小见大，讲述了一下实验室目前的主要研究方向和前瞻性研究。接着，宋志棠研究员针对目前半导体集成电路在国内外市场中的重要地位进行了详细的讲解，并在报告中，多次提到了国内本土半导体集成电路发展的重要性和必要性。然后，宋志棠研究员就半导体集成电路行业中占比份额最大的相变存储器（PCRAM）从实验研究到工程化应用都进行了详尽的汇报，宋志棠研究员本人也在此领域研究了18年之久，也正是这份坚持使得宋志棠研究员在PCRAM领域内能够做到国内第一、国际一流的水平。值得一提的是宋志棠研究员在国际上首次提出了相变基元八面体与面心立方亚稳态的理论，再此理论基础上，以自主Sc-Sb-Te材料体系为核心，宋志棠研究员很好的解决了PCRAM写速度慢的短板问题。另外，宋志棠研究员就PCRAM工程化应用方面也做出了突出的贡献，对目前传统的刻蚀工艺进行了改进，使得所制备的集成电路小电极能够达到业界最高水平！
面对宋志棠研究员的精彩报告，在场的老师和同学们都表现出极大的兴趣、认同和称赞。会后，老师和同学们积极提问，宋志棠研究员就提出的问题，从工程化、战略化这两个高角度进行了深入探讨和解答，同学们受益匪浅。本次报告会上，同学们不仅学到了知识，还体会到了一位研究人员不懈的坚守，以及时刻督促自己从一个高角度去看待自身研究的态度。
