2023年12月20日上午10：00，在先进制造大楼西楼C306会议室举行了第563期“杰出学者讲坛”学术报告。本次学术报告的主讲人是Mario Lanza副教授，报告题目是“Hybrid 2D/CMOS microchips”。华中科技大学李渊教授主持本次学术报告，翟天佑教授、诸葛福伟副教授、周兴副教授、刘开朗副教授等老师参加了本次报告。
Mario Lanza教授于2010年获得巴塞罗那自治大学电子工程系博士学位，并获优秀博士毕业生（每年仅有一个名额）。博士期间在德国代根多夫应用技术大学（2008）和英国曼彻斯特大学（2009）作访问学者。2010-2011年，在北京大学工学院进行博士后研究，期间，获得国家自然科学基金委设立的国际青年科学家研究基金；2012-2013年，获得居里夫人博士后奖学金，并赴斯坦福大学化学系进行第二段博士后研究。2013年10月加入苏州大学任副教授，2017年3月晋升为正教授。自2020年10月起，他担任沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学(KAUST)材料科学与工程副教授，领导一个由10名博士生和博士后组成的小组。他的研究是如何使用二维材料改进电子设备和电路，重点在忆阻器件方面。Lanza教授发表了180余篇研究论文，其中包括1篇Nature, 2篇Science, 6篇Nature Electronics和多篇IEDM论文，并注册了4项专利，其中一项获得了100万美元的授权。Lanza教授获得了多个最高荣誉，如IEEE Fellow，Young 1000 Talent, Marie Curie等，还是（IEEE）电子器件学会的杰出讲师。Lanza教授是《Microelectronic Engineering》杂志的主编，还是IEEE-IEDM, IEEE-IRPS, IEEE-IPFA等国际顶级电子器件会议的技术委员会成员。
在报告上，Mario Lanza教授介绍了二维(2D)材料具有出色的物理、化学和热性能，这使得它们对于制造固态微/纳米电子器件和电路具有吸引力。然而，在晶圆尺度上合成高质量的二维材料是困难的，并且将其集成到硅芯片中带来了相关的多重挑战。尽管如此，在过去的几年里，已经取得了实质性的进展，像台积电、英特尔和三星这样的领先公司也开始朝着这个方向努力。紧接着，Mario Lanza教授讨论了如何将二维材料集成到微/纳米电子器件、电路和微芯片中，概述了该领域的全球进展，并介绍了他目前在混合2D/CMOS应用方面的最新进展。最后，Mario Lanza教授特别强调了忆阻器件和电路，包括数据存储、计算、加密和通信，还将讨论未来几年忆阻器件面临的主要技术挑战，并就如何解决这些挑战提供一些建议。
Mario Lanza教授的报告引起了在场老师和同学们的浓厚兴趣。他们就混合2D/CMOS微芯片的性能提升、制备和测试方法、器件良率的提升、忆阻器件未来发展优势与应用等方面同Mario Lanza教授进行了深入细致的交流。Mario Lanza教授分享了自己独特和深入的思考视角，细致地进行了阐述和解答。通过本次交流，同学们拓宽了对混合2D/CMOS微芯片的认知，对其有了更为深刻的理解和思考。
