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以二维半导体材料制备浮栅晶体管、铁电晶体管等新型信息存储器件，突破传统存储器件在擦写速度、数据保持和耐久性、多值特性等方面所面临的的瓶颈，并以此辐射至类脑神经形态感知与计算领域。
