国家重点研发计划《晶圆级二维材料 “全在一”芯片研究》年度研讨会顺利举行
2022年12月8日上午9时，华中科技大学新材料与器件研究中心举办了材料成形与模具技术国家重点实验室第421期“杰出学者讲坛”。本次讲坛以国家重点研发计划纳米前沿2.3项目《晶圆级二维材料 “全在一”芯片研究》2022年度课题进展研讨会为主题，邀请了项目首席复旦大学周鹏教授，项目课题负责人复旦大学包文中教授、中国科学院微电子研究所吴振华研究员、湖南大学刘渊教授和复旦大学万景教授做年度总结指导和研究进展线上学术报告。华中科技大学翟天佑教授、李渊教授主持本次讲坛，相关领域多位老师和同学参加了本次讲坛。
报告伊始，项目首席周鹏教授对本次讲坛致辞，就重点研发计划总体进展进行总结，着重强调项目的总体方向和研究目标，指导各个项目课题的下一步研究方案和进度规划。接着，项目课题负责人就各个课题的进展做了详细报告，第一位报告人为包文中教授，报告主题为“二维半导体材料的集成电路应用探索”。他向参会人员详细介绍了他们课题组系统性地发展有效的掺杂、金半接触和栅介质生长等工艺以实现批量生长高质量晶圆级二维硫化钼薄膜的工艺新方法，获得了完整的集成电路成套流片工艺，成功制作了传统的数字、模拟、存储电路以及提出了多种开创性的器件结构。
第二位报告人吴振华研究员，报告主题为“面向GAA晶体管的跨尺度TCAD仿真方法及应用研究”。他在报告中提到，基于跨尺度物理模型，他们课题组开展了先进工艺节点GAA FET的TCAD仿真研发工作，建立了材料-器件-单元电路联动设计制造协同优化仿真流程以及新技术节点path-finding的探索研究。
第三位报告人为刘渊教授，报告主题为“面向二维半导体的范德华金属集成工艺”。他向与会人员详细介绍了他们课题组利用范德华异质集成，构建了一系列基于二维材料的高性能电子器件，并证明范德华金属电极的集成方法同样适用于多种垂直器件与异质结器件，从而保证在小尺寸下的二维半导体的本征性能。
第四位报告人为万景教授，报告主题为“硅-二维材料异质混合新型电子/光电子器件”。他在报告中系统阐述了硅基大规模集成电路近年来在工艺和器件上面临的关键技术难点与新技术的发展，介绍了小组在硅基电子及光电子领域开发的新型半导体器件。
报告期间，参会人员在每一场报告结束后都积极地提出自己的问题，报告人一一进行了详细地解答。报告精彩内容层数不穷，形成了热烈、广泛而深入地探讨，参会人员都收获了新的认知和见识，受益匪浅。
